<!--
<!--<!--
أكتشف ألبت فرت الفرنسي – وبيتر جوتبرج الالمانى منفصلين
ظاهرة المقاومة المغناطيسية الكبرى التلقائية
سندوتش مغناطيس وراء الثورة في عام تكنولوجيا المعلومات
تغيير مغناطيسي صغير يستطيع
أن يحدث تغير كبير في التيار الكهربي
هذا هو الأساس للحساس الذي يستخدم المقاومة المغناطيسية
هذا التأثير فتح الباب لتطور فى عالم الالكترونيات
الالكترونات المغزلية spintronic)) وفى وقت لاحق
أحدث نقله نوعيه في تقنيات مسح المعلومات على الأقراص الصلبه
في عام 1988
ألبرت فرت ومعاونوه اينوا ثلاثين طبقه من طبقات مغناطيسية
محيطه بماده غير مغناطيسية طبقه ممغنطه تليها طبقه غير ممغنطه
لها تأثير بالغ على المقاومه
قدمت هذه المجموعة أبحاثا عن مفهوم المقاومة المغناطيسية الكبرى
أظهر نفس التأثير بيتر جرجتنبرج
عند وضع طبقه غير ممغنطه بين طبقتين من ماده ممغنطه
وهو التركيب المستخدم في الرأس القارئة للقرص الصلب
المقاومة المغناطيسية على مستوى النانو
المقاومة المغناطيسية الكبرى تأتى عندما نضع ماده غير ممغنطه
توضع بين طبقتين من معدن ممغنط
تأثير يأتي من دوران الالكترونات (مغزلها)
والتي تولد لحظه مغناطيسي كل إلكترون يعمل مغناطيس صغير
يشير لأعلى ولأسفل
المقاومة المغناطيسية الكبرى تعتمد على الإختلاف في المقاومة الكهربية للإلكترونات بإختلاف إتجاه مغازلها في الطبقات المغناطيسية
سندوتش سمكه نانوميتر طبقات مغناطيسية مع طبقه فى الوسط غير ممغنطه سوف تسمح للسعات المختلفة للتيار أن يمر خلالها تعتمد على مااذا كان المغنطة في طبقات مغناطيسية سوف تشير لنفس الإتجاه
في الحالة الأولى
الإلكترونات المغزل الصحيح سوف تمر مستقيمة
خلال السندوتش وتيار الكهرباء سيمر خلال التركيب
حتى لو أن هناك إلكترونات بمغازل خطأ
منتشرة في الطبقة الأولى
في الحالة الثانية
عندما تتعارض المغنطة تقاوم كل الإلكترونات تتكون خطأ
في واحده او أكثر من الطبقات الممغنطة
لذلك المقاومة الكلية كبيرة وتمنع مرور التيار الكهربي
الإلكترونات في الرسم تمثل بمغناطيسات صغيره
جودتها تعطى مقاومه مغناطيسية كبرى
اللحظة المغناطيسية في الإلكترونات نتيجة دورانها الداخلي
المغزل الذي يمكنه أن يتحرك لأعلى ولأسفل
زيادة المقاومة في ماده مغناطيسية للإلكترونات التي لها مغزل
خطأ تمثل في الرسم بثقب يشير إلى الاتجاه الخطأ
مما يجعل من المستحيل للالكترونات المرور منه
النانو تكنولوجى
نمو صناعة شبه الموصلات
إحدى الاحتياجات تفريغ الهواء
لوضع كميه معقولة من المادة لعمل طبقات رقيقه
فى عام 1970
طبقات رقيقه آمكن تصنيعها بسمك عدد قليل من الذرات
النانومتر عبارة عن 1/مليون من المليمتر
شركة IBM
في عام1997 نجحت محاولاتها لإنتاج راس قارئه تعتمد على المقاومة المغناطيسية حجمها أكثر خمس مرات من المستخدمة اليوم
النانوميتر 1/مليون من المم يماثل عدد قليل من طبقات الذرات
البرت فرت وجورج جربنبرج ---
ركبا عدد من الذرات الممغنطة من الحديد
متواجدة بين ذرات الكروم
هذه الخاصية مهمة للأقراص الصلبه المضغوطة
المعلومات تخزن على أقراص صلبه
في صورة مجالات مغناطيسية صغيره
كلما كان القرص الصلب صغير مضغوط
كلما توصلنا إلى راس قارئه أدق
نستطيع تسجيل التغيرات في المغناطيسية
الرأس القارئة يمكن تشبيهها بالطائرة النفاسه
التي تطير بسرعة 30 ألف كم /ساعة
ترتفع متر واحد فوق سطح الأرض تسجل كل ورقه وكل عشبه
بفضل تلك التقنية أصبح من الممكن تصغير القرص الصلب
تقليل مساحة القرص الصلب كأى مساحه أخرى
الكمبيوترات المحمولة الصغيره - محركات البحث
مشغلات الموسيقى
تقنيه مماثله ستسمح بتسجيل المعلومات على RAM
في الرأس القارئة هناك صمام لذروه تعتم على المقاومة المغناطيسية الكبرى إتجاه المغنطة فى الطبقة المغناطيسية
العليا ثابتة بواسطة مضاد لمغنطة الحديد
بينما المغنطة في الطبقة السفلي يمكن أن تغير اتجاهها
عندما تتأثر بمجال مغناطيسي خارجي
عندما تمسح الرأس القارئة مساحات جديدة على القرص
إتجاه المغنطة في طبقه المغنطة السفلى يتغير في صمام الدورة
هذا يعنى أن المقاومة تتغير في كل مغنطه على القرص الصلب عند تغير إتجاهه
